ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Ic Fabrication Technology [Paperback]

دانلود کتاب فناوری ساخت آی سی [شومیز]

Ic Fabrication Technology [Paperback]

مشخصات کتاب

Ic Fabrication Technology [Paperback]

ویرایش:  
نویسندگان:   
سری:  
ISBN (شابک) : 9781259029585 
ناشر: MC GRAW HILL INDIA 
سال نشر: 2011 
تعداد صفحات: 369 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 4 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 29,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 9


در صورت تبدیل فایل کتاب Ic Fabrication Technology [Paperback] به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب فناوری ساخت آی سی [شومیز] نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی



فهرست مطالب

Title
Contents
1. Overview of Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Transistor
	1.1 Introduction
	1.2 Moore’s Law
	1.3 Future Sizes of a Transistor and a Chip
	1.4 Physics of Silicon
	1.5 Silicon Devices
	1.6 MOS Transistor
	Summary
	References
	Multiple-Choice Questions
	Descriptive Problems
2. Silicon Wafer Preparation for MOS Transistor Fabrication
	2.1 Introduction
	2.2 Silicon Crystal Structure
	2.3 Defects in a Silicon Crystal
	2.4 Single Crystalline Silicon-Wafer Fabrication for MOS Transistor Applications
	2.5 Fabrication of Silicon Wafer from the Boule
	2.6 Specifications of the Silicon Wafer
	2.7 Defects and Impurities in the Silicon Wafer
	2.8 Wafer Contaminations
	Summary
	References
	Multiple-Choice Questions
	Descriptive Problems
3. MOS Transistor Process Flow
	3.1 Introduction
	3.2 MOS Transistor Fabrication
	3.3 Device Isolation
	3.4 CMOS Fabrication
	Summary
	References
	Multiple-Choice Questions
	Descriptive Problems
4. Oxidation
	4.1 Introduction
	4.2 Structure of Silicon Dioxide
	4.3 Oxidation Equipment and Process
	4.4 Kinetics of Oxidation
	4.5 Comment on the Deal-and-Grove Oxidation Model
	4.6 Oxide Charges
	4.7 Silicon Oxide Characterisation
	4.8 Electrical Characterisation of MOS Capacitance
	4.9 Case I: Non-Ideal Case
	4.10 Case II: Ideal Case
	4.11 Procedure of Oxide and Oxide/Silicon Interface Charge Measurements
	4.12 Oxide Breakdown Measurements
	4.13 Other Silicon Oxidation Techniques
	Summary
	References
	Multiple-Choice Questions
	Descriptive Problems
5. Mask
	5.1 Introduction
	5.2 Properties of Masks
	5.3 Types of Masks and Mask Fabrication Techniques
	Summary
	References
	Multiple-Choice Questions
	Descriptive Problems
6. Lithography
	6.1 Introduction
	6.2 Photolithography Process
	6.3 Photoresist
	6.4 Non-Photoresist (Resist)
	6.5 PR Cleaning Procedure
	6.6 Light Source and the Optical Exposure System
	6.7 Pattern Transferring Techniques and Mask Aligner
	6.8 Optical Projection Lithography Technique
	6.9 Non-Optical Projection Lithography Technique
	6.10 Ion-Beam Lithography
	Summary
	References
	Multiple-Choice Questions
	Descriptive Problems
7. Etching
	7.1 Introduction
	7.2 Etching Techniques
	7.3 Wet Etching of Common Films
	7.4 Plasma Etching (Dry Etching)
	7.5 Plasma Etching Mechanisms and Etching Modes
	7.6 Plasma Etching Parameters
	Summary
	References
	Multiple-Choice Questions
	Descriptive Problems
8. Diffusion
	8.1 Introduction
	8.2 Diffusion Equipment and Process
	8.3 Diffusion Models
	8.4 Modification of Fick’s Law
	8.5 Oxidation Effects on Diffusion
	Summary
	References
	Multiple-Choice Questions
	Descriptive Problems
9. Ion-Implantation
	9.1 Introduction
	9.2 Ion-Implantation Equipment
	9.3 Ion-Implantation Parameters
	9.4 Parameters Affecting the Dose and Uniformity
	9.5 Advantages of Ion-Implantation
	9.6 Disadvantages of Ion-Implantation
	9.7 Ion-Implantation Model
	9.8 Ion Stopping
	9.9 Ion Channelling
	9.10 Annealing
	Summary
	References
	Multiple-Choice Questions
	Descriptive Problems
10. Thin Film Deposition
	10.1 Introduction
	10.2 Film-Deposition Techniques
	10.3 Metal Wirings and Contacts
	10.4 Metal Film Deposition Techniques
	10.5 Metal Alloy Deposition
	10.6 Nitride Deposition
	10.7 Silicide Deposition
	10.8 Dielectric Deposition
	10.9 Silicon Deposition
	10.10 Film Thickness Measurements
	Summary
	References
	Multiple-Choice Questions
	Descriptive Problems
11. ULSI (nano) Fabrication
	11.1 Introduction
	11.2 Dielectric Film Deposition
	11.3 Lithography
	11.4 Etching
	Summary
	References
Index




نظرات کاربران